CoolSiC™ 1.400-V-SiC-G2-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1.400 V Siliciumcarbid (SiC) G2 MOSFETs werden in einem TO-247PLUS-4 Reflow- Gehäuse angeboten. Diese Infineon MOSFETs eignen sich ideal für Anwendungen mit hoher Ausgangsleistung, wie z. B. das Laden von Elektrofahrzeugen (EV), Batterie Energie Speicher Batteriespeichersysteme (BESS), Nutzfahrzeuge / Baufahrzeuge / Landwirtschaftliche Fahrzeuge (CAV) und mehr. CoolSiC™ MOSFET G2 1.400 V Technologie ist eine Spitzentechnologie die verbessertes thermisches Betriebsverhalten eine erhöhte Leistungsdichte und eine gesteigerte Zuverlässigkeit bietet. Das Paket beinhaltet Reflow Fähigkeit (3x Reflow-Löten möglich), wodurch ein niedrigerer thermischer Widerstand ermöglicht wird.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Datenblatt
565Auf Lager
34,76 €
25,12 €
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
190Auf Lager
50,22 €
42,84 €
35,34 €
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
224Auf Lager
29,35 €
23,50 €
20,32 €
19,24 €
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
230Auf Lager
16,40 €
12,50 €
10,41 €
9,28 €
8,67 €
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
174Auf Lager
240erwartet ab 02.11.2026
12,90 €
7,26 €
7,12 €
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Datenblatt
240Auf Lager
Cut-Tape
26,77 €
21,43 €
18,53 €
Reel
18,53 €
17,54 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 240
Through Hole PG-TO247-4 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
134Auf Lager
15,43 €
8,85 €
8,67 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
342Auf Lager
13,06 €
9,95 €
8,29 €
7,38 €
6,90 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
240erwartet ab 02.09.2027
10,65 €
5,87 €
5,55 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Datenblatt
77Auf Lager
18,30 €
13,67 €
11,82 €
11,19 €
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
126Auf Lager
240erwartet ab 05.11.2026
14,96 €
11,40 €
9,50 €
8,46 €
7,90 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC