MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

Les MOSFET de puissance 60 V OptiMOS™ 6 d'Infineon Technologies offrent des performances supérieures grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste. Les MOSFET de puissance 60 V OptiMOS fournissent une RDS(on) inférieure de 37 % et des performances FOMQg x RDS(on) ~ 25 % supérieures à celles des OptiMOS 5. Les MOSFET de puissance OptiMOS 6 60 V d’Infineon offrent une efficacité et une densité de puissance système supérieures dans les topologies à commutation douce et les applications à basse fréquence.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
8.532En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 97 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
3.859En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 57 A 7.2 mOhms 20 V 3.3 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
4.198En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 6.000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
4.768En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 6.000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
2.947En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 378 A 800 uOhms 20 V 2.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
3.891En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 143 A 2.5 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
3.282En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 149 A 2.3 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
3.920En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 32 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
3.821En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 6 mOhms 20 V 3.3 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Fiche technique
4.113En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Fiche technique
5.00022/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
5.00029/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
5.00029/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
4.00010/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 4.000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 121 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape