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NVMFS5832NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFS5832NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5832NLWFT1G-UM
Price: 1.91 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

863-FS5832NLWFT1G-UM

N° de fab. :

NVMFS5832NLWFT1G-UM

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVMFS5832NLWFT1G-UM Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.4 V
Qg - Charge de grille:	51 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	127 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	21 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	24 ns
Série:	NVMFS5832NL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	27 ns
Délai d'activation standard:	13 ns

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Fiche technique

NVMFS5832NLWFT1G-UM Fiche technique

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

Le MOSFET de puissance monocanal NVMFS5832NL d’onsemi est un MOSFET à hautes performances conçu pour des applications à basse tension nécessitant une commutation de puissance efficace. Conçu avec une technologie à tranchées d’avant-garde, le NVMFS5832NL d’onsemi affiche une RDS_(on) remarquablement faible de 4,2 mΩ à V_GS = 10 V, permettant de réduire les pertes de conduction et des performances thermiques améliorées. Avec une tension drain-source maximale de 40 V et une tension de courant de drain continu pouvant atteindre 120 A, ce MOSFET est idéal pour les environnements exigeants tels que les convertisseurs CC-CC, le redressement synchrone et le contrôle de moteur. Le boîtier DFN de puissance compact de 5 mm x 6 mm garantit une densité à haute puissance et une excellente dissipation thermique tandis que la faible charge de grille du dispositif prend en charge une commutation rapide pour une efficacité améliorée dans des conceptions à haute fréquence.

NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ R_DS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Disponibilité

Stock:: 0

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Sur commande:: 1.500

09/11/2026 attendu
Délai usine :: 31

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Minimum : 1 Multiples : 1 Maximum : 150

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Tarif est.:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,91 €	1,91 €
	1,21 €	12,10 €
	0,816 €	81,60 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,816 €	1.224,00 €

NVMFS5832NLWFT1G-UM

Fab. : onsemi

Description : MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

Caractéristiques

Documents (1)

Fiche technique

Produit et conformité commerciale

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MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

NVMx & NVTx Power MOSFETs

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

PRODUITS PRÉSENTÉS ONSEMI

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Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

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