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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
onsemi MOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm 4.437En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET 650V N-Channel SuperFET III MOSFET 125En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms 30 V 2.5 V 222 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET SuperFET3 650V 70mOhm 739En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 400
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 70 mOhms 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET 1.448En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 400

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 27MOHM 238En stock
45030/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms 30 V 3 V 259 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL 3.150Stock usine disponible
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 82MOHM Délai de livraison produit non stocké 46 Semaines
Min. : 800
Mult. : 800

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 70 mOhms 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube