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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS
Toshiba MOSFET N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
Fiche technique
2.100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Vishay Semiconductors MOSFET COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S2)MO
Fiche technique
5.875En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Vishay Semiconductors MOSFET DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Fiche technique
2.289En stock
3.00023/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Vishay Diodes Schottky SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
Fiche technique
158En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Microchip Technology MOSFET N-CHANNEL DEPLETION MODE
Fiche technique
20.602En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Panjit Diodes et redresseurs Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
Fiche technique
6.235En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
: 800

onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN MULTI-CHIP
Fiche technique
2.784En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Infineon Technologies Redresseurs THYR / DIODE MODULE DK
Fiche technique
23En stock
Min. : 1
Mult. : 1

onsemi MOSFET 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
Fiche technique
42.680En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000
Diodes Incorporated Diodes de commutation de signal faible 85V 150mW
Fiche technique
331.849En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
Fiche technique
399.643En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 3.000
: 3.000


Vishay / Siliconix MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Fiche technique
143.156En stock
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: 3.000

Vishay / Siliconix MOSFET P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
Fiche technique
Commentaire Produit
110.353En stock
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Mult. : 1
: 3.000


Vishay Semiconductors MOSFET Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
Fiche technique
Commentaire Produit
31.319En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

Vishay / Siliconix MOSFET N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
Fiche technique
33.889En stock
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Mult. : 1
: 3.000

Vishay Semiconductors MOSFET 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
Fiche technique
77.842En stock
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Mult. : 1
: 3.000

STMicroelectronics MOSFET Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
Fiche technique
41.533En stock
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Mult. : 1
: 3.000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
Fiche technique
251.478En stock
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Mult. : 1
Max. : 3.000
: 3.000

ROHM Semiconductor Diodes Schottky SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
Fiche technique
1.258En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Vishay / Siliconix MOSFET 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
Fiche technique
43.517En stock
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Mult. : 1
: 2.000

Wolfspeed Modules à semi-conducteurs discrets SiC, Module, 16mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
Fiche technique
22En stock
3916/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

YAGEO XSemi MOSFET Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
Fiche technique
2.997En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Toshiba Diodes de commutation de signal faible High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
Fiche technique
Commentaire Produit
610.185En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
Fiche technique
243.536En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
: 4.000

Nexperia Transistors bipolaires - BJT PMD2001D/SOT457/SC-74
Fiche technique
186.159En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000