Wolfspeed / Cree MMIC basés sur HEMT au GaN

Les MMIC (Circuits intégrés monolithiques à micro-ondes) basés sur HEMT (Transistor à grande mobilité électronique) au GaN (nitrure de gallium) de Cree permettent d'obtenir des bandes passantes extrêmement larges au sein d'un boîtier à faible encombrement. Le GaN offre des propriétés supérieures à celles du silicium ou de l'arséniure de gallium, incluant une tension de claquage plus élevée, une plus grande vitesse de saturation des électrons ainsi qu'une conductivité thermique plus élevée. Les HEMT au GaN offrent également une densité de puissance plus élevée et des bandes passantes plus larges en comparaison avec des transistors au silicium ou à l'arséniure de gallium.