Tube Transistors bipolaires RF

Résultats: 5
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Série
Type de transistor
Technologie
Polarité du transistor
Fréquence de fonctionnement
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Émetteur - Tension de base VEBO
Courant de collecteur continu
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Configuration
Style de montage
Package/Boîte
Conditionnement
Renesas / Intersil Transistors bipolaires RF W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
Fiche technique
2.256En stock
Min. : 1
Mult. : 1

HFA3096 Bipolar Si NPN/PNP 8 GHz, 5.5 GHz 12 V, - 15 V 6 V, - 5 V - 55 C + 125 C Dual SMD/SMT SOIC-Narrow-16 Tube

Renesas / Intersil Transistors bipolaires RF W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR
Fiche technique
1.387En stock
Min. : 1
Mult. : 1

HFA3046 Bipolar Si NPN 8 GHz 40 8 V 5.5 V 65 mA - 55 C + 125 C Quint SOIC-14 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated Transistors bipolaires RF 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Fiche technique
202En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated Transistors bipolaires RF 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Fiche technique
179En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
STMicroelectronics STGWT30HP65FB
STMicroelectronics Transistors bipolaires RF Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 600
Mult. : 300

STGWT30HP65FB Si Tube