STMicroelectronics PD57018-E Série Transistors MOSFET RF

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Polarité du transistor
Technologie
Id - Courant continu de fuite
Vds - Tension de rupture drain-source
Rds On - Résistance drain-source
Fréquence de fonctionnement
Gain
Alimentation en sortie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Style de montage
Package/Boîte
Conditionnement
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF POWER RF Transistor
Fiche technique
586En stock
Min. : 1
Mult. : 1

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF POWER R.F.
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 23 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600
Bobine: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF POWER R.F.
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 23 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600
Bobine: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel