QPD0020

Qorvo
772-QPD0020
QPD0020

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires RF DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor

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Qorvo
Catégorie du produit: Transistors bipolaires RF
RoHS:  
QPD0020
GaN Si
2.6 GHz to 2.69 GHz
Single
SMD/SMT
QFN-20
Reel
Cut Tape
Marque: Qorvo
Sensibles à l’humidité: Yes
Alimentation en sortie: 34.7 W
Pd - Dissipation d’énergie : 29 dBm
Type de produit: RF Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 100
Sous-catégorie: RF Transistors
Raccourcis pour l'article N°: QPD0020SR
Poids de l''unité: 1,430 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Transistors de puissance RF au GaN QPD0020

Les transistors de puissance RF QPD0020 de Qorvo sont des transistors discrets à haute mobilité d'électrons (HEMT), 35 W, au nitrure de gallium (GaN), non appariés, fonctionnant entre le CC et 6 GHz à partir d'un rail de tension d'alimentation de +48 V. Ces composants sont adaptés aux applications de type station de base, radar et équipement de télécommunications. Ces transistors peuvent fonctionner mode onde entretenue (CW) et en mode pulsé. Le QPD0020 peut être utilisé dans un montage de Doherty pour réaliser l'étage final de l'amplificateur de puissance d'une station de base d'un système pour petite cellule, pour microcellule ou d'un système à antenne active. Le QPD0020 peut aussi servir à réaliser l'étage d'attaque de l'amplificateur de puissance d'une station de base pour macrocellule.