MRFX Series 65V LDMOS Transistors

NXP Semiconductors MRFX Series 65V LDMOS Transistors offer high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These transistors feature high power density, lower current losses, high efficiency, easier matching to 50Ω, wide safety margin, and negligible magnetic radiation. The higher power density, low current, and high safety margin enable highly reliable and more integrated industry 4.0 systems with better energy management.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Polarité du transistor Technologie Id - Courant continu de fuite Vds - Tension de rupture drain-source Fréquence de fonctionnement Gain Alimentation en sortie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Style de montage Package/Boîte Conditionnement
NXP Semiconductors Transistors MOSFET RF Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V 5En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistors MOSFET RF 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz 21En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape