BGB 741L7ESD E6327

Infineon Technologies
726-BGB741L7ESDE63
BGB 741L7ESD E6327

Fab. :

Description :
Amplificateur RF RF BIP TRANSISTORS

Modèle de ECAO:
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 7500)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,86 € 0,86 €
0,736 € 7,36 €
0,688 € 17,20 €
0,636 € 63,60 €
0,602 € 150,50 €
0,572 € 286,00 €
0,549 € 549,00 €
0,547 € 2.188,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 7500)
0,477 € 3.577,50 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: Amplificateur RF
RoHS:  
50 MHz to 3.5 GHz
1.8 V to 4 V
10 mA
20 dB
1.05 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
TSLP-7-1
SiGe
- 6.5 dBm
1 dBm
- 55 C
+ 150 C
BGB741L7
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Infineon Technologies
Nombre de canaux: 1 Channel
Pd - Dissipation d’énergie : 120 mW
Type de produit: RF Amplifier
Nombre de pièces de l'usine: 7500
Sous-catégorie: Wireless & RF Integrated Circuits
Fréquence de test: 150 MHz
Raccourcis pour l'article N°: SP000442946 BGB741L7ESDE6327XT BGB741L7ESDE6327XTSA1
Poids de l''unité: 2 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8542330001
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8532331000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ N-Channel MOSFETs

Infineon CoolMOS™ N-Channel Power MOSFETs set the standard for high performance and energy efficiency. The Infineon OptiMOS low voltage MOSFET family demonstrates a combination of the industry's lowest on-state resistance and best switching performance in the voltage range from 20V up to 250V. The new OptiMOS 25V and 30V product family sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs. These devices are application-specific optimized for power supplies of servers, notebooks, telecom / datacom switches, and more. The revolutionary Infineon CoolMOS power family sets new standards in energy efficiency and is a technology leader in high voltage MOSFETs. The CoolMOS offers a significant reduction of conduction and switching losses and enables high power density and efficiency for superior power conversion systems. CoolMOS C6 / E6 Power MOSFETs combine the advantage of state-of-the-art superjunction devices with the strengths of conventional power semiconductors. Infineon Technologies CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.