TCK401G,LF

Toshiba
757-TCK401GLF
TCK401G,LF

Fab. :

Description :
Commandes de grilles Load Switch IC 2.7-28V Active High

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 117.285

Stock:
117.285 Expédition possible immédiatement
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,447 € 0,45 €
0,316 € 3,16 €
0,282 € 7,05 €
0,245 € 24,50 €
0,228 € 57,00 €
0,218 € 109,00 €
0,209 € 209,00 €
0,20 € 500,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
0,183 € 915,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Toshiba
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side
SMD/SMT
WCSP-6E-6
1 Driver
1 Output
38 uA
2.7 V
28 V
600 us
1.7 us
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Toshiba
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: JP
Type de logique: CMOS
Délai d'activation max.: 1.2 ms
Courant d'alimentation de fonctionnement: 198 uA
Tension de sortie: 8.5 V
Pd - Dissipation d’énergie : 800 mW
Type de produit: Gate Drivers
Arrêt: No Shutdown
Nombre de pièces de l'usine: 5000
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Poids de l''unité: 1 mg
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

TCK40xG Load Switch ICs

Toshiba TCK40xG Load Switch ICs are 28V high input voltage external FET driver ICs. The TCK40xG ICs offer a slew rate control driver within a small WCSP6E package. These TCK40xG load switch ICs block reverse currents when the switch is turned off using external series FETs. The TCK40xG ICs feature an auto output discharge terminal, charge pump circuit, and inrush current reducing circuit. These load switch ICs operate within a -0.3V to 40V input voltage range and a -40°C to +85°C operating temperature range. The Toshiba TCK40xG Load Switch ICs are suitable for power management selector applications such as battery charging.

USB Type-C™ Data Mux & Power Delivery Switches

Toshiba USB Type-C™ Data Mux and Power Delivery Switches support new features and new technology in mobile applications. Devices are charged with USB Power Delivery systems with higher charging voltages than before. For example, a 100W charging system delivers 20V/5A and would require a 30V-tolerant switch. Toshiba provides low-resistance 30V switches, including MOSFETs and IC switches, that provide overvoltage protection and slew rate control.

Solution de serveur

La solution de serveur Toshiba est l'avenir du big data et de la révolution IdO, avec une solution qui maximise l'efficacité et les performances. La conception de serveur est une tâche complexe avec de nombreuses exigences strictes telles qu'un haut rendement, des capacités thermiques robustes et une solide protection avec isolement.

Configurable High-Side Power Switch Solution

Toshiba TCK401G Driver IC is an active-high MOSFET driver suitable for quick-charging and other applications requiring high current supply. Paired with the SSM6K513NU MOSFET, TCK401G can create a high-efficiency load switch ideal for mobile and consumer applications, such as wearables and accessories. This combination also helps new products reduce heat from conduction loss by about 40 percent compared to Toshiba's conventional products. The pairing is ideal for those using USB Type-C™ connectors, making it possible to build a 100W load switch for a power supply circuit in a small space. TCK401G has built-in functions such as overvoltage protection, inrush current reduction, and auto output discharge. The SSM6K513NU MOSFET features the “U-MOSIX-H” trench metal-oxide-semiconductor (MOS) process and has an On-resistance (Rdson) of 6.5mΩ.