MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

Les MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2 d’Infineon Technologies sont conçus pour répondre aux exigences strictes des applications des véhicules électriques (VE) telles que les convertisseurs de traction, les chargeurs embarqués (OBC) et les convertisseurs CC/CC haute tension. Ces MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une efficacité, une densité de puissance et des performances thermiques exceptionnelles, permettant ainsi la mise au point de systèmes de mobilité électrique de nouvelle génération. Avec une tension nominale de 750 V et la technologie CoolSiC™ de deuxième génération, ces dispositifs offrent un comportement de commutation amélioré et des pertes réduites par rapport aux solutions traditionnelles en silicium. Le portefeuille comprend une plage de valeurs RDS(on) de 9 mΩ à 78 mΩ, offrant aux concepteurs la flexibilité nécessaire pour optimiser les performances de conduction et de commutation.

Résultats: 20
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Fiche technique
24En stock
75002/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 220 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 164 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Fiche technique
25En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Fiche technique
35En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 86 A 25 mOhms -7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Fiche technique
15En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 11 V, + 25 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Fiche technique
49En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Fiche technique
25En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 25 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Fiche technique
15En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 116 A 13.8 mOhms - 7 V, + 25 V 5.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Fiche technique
25En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Fiche technique
665En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 840 V 198 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Fiche technique
18En stock
73023/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 750

SMD/SMT HD-SOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 65.6 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Fiche technique
25En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Fiche technique
26En stock
750Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Fiche technique
25En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 40 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Fiche technique
25En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 32 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Fiche technique
752En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C +175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Fiche technique
1.011En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41 mOhms - 7 V,+ 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Fiche technique
542En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V,+ 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Fiche technique
1.025En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Fiche technique
602En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, + 23V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Fiche technique
60Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 357 A 8 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 328 nC - 55 C + 175 C 1.499 kW Enhancement CoolSiC