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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
IXYS SiC MOSFET 1200V 18mOhm (30A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
Fiche technique
290En stock
10011/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 47 mOhms 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 143.7 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Fiche technique
795En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Fiche technique
760En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 1200V 36mOhm (43A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
Fiche technique
400Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 23.4 mOhms 21 V 4.8 V 155 nC - 40 C + 150 C 223.2 W Enhancement