Power MOS 8 MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1000 V 18 A TO-247
Fiche technique
44En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 150 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1200 V 4 A TO-220
Fiche technique
1.057En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 5 A 3.12 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 43 nC - 55 C + 150 C 225 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 1200 V 13 A TO-247
Fiche technique
12En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14 A 910 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 145 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1200 V 14 A TO-247
Fiche technique
6En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14 A 870 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 145 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 800 V 22 A TO-247
Fiche technique
72En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 23 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 150 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1200 V 24 A TO-264
Fiche technique
1En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 260 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 500 V 30 A TO-247
Fiche technique
92En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 115 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 500 V 37 A TO-247
Fiche technique
69En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 37 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 145 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 500 V 42 A TO-247
Fiche technique
51En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 42 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 170 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 500 V 56 A TO-264
Fiche technique
56En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 56 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 220 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 1200 V 7 A TO-247
Fiche technique
103En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7 A 1.57 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 80 nC - 55 C + 150 C 335 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1000 V 8 A TO-247
Fiche technique
189En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 1.53 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1000 V 37 A TO-264
Fiche technique
100Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 37 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 305 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1200 V 7 A TO-247
Fiche technique
35620/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 80 nC - 55 C + 150 C 335 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1000 V 14 A TO-247
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 kV 14 A 710 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 120 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 1000 V 17 A TO-247
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 17 A 670 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 150 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 1200 V 26 A TO-247 MAX
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 480 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 1200 V 26 A TO-264
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1.2 kV 27 A 480 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1200 V 28 A TO-264
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 500 V 56 A TO-247 MAX
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 500 V 56 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 220 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 600 V 56 A TO-247 MAX
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 280 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 600 V 66 A TO-247 MAX
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 600 V 70 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 330 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 600 V 66 A TO-247 MAX
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 600 V 70 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 330 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube