EPAD MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement

Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
37En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
29En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
18En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 780 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
32En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10 V 70 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10 V 70 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 780 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 50

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube