OptiMOS P Série MOSFET

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P 2.439En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 126 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P 3.645En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 20 V 14.9 A 10.3 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 66 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P 1.752En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 14.9 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P 3.042En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 14.9 A 6.7 mOhms - 25 V, 25 V 1.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET P-Ch -20V -4.7A TSOP-6 OptiMOS P Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4.7 A 94 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 8.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement OptiMOS Reel