CSD85301Q2 Série MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Texas Instruments MOSFET CSD85301Q2 Dual N- C hannel Power MOSFET A 595-CSD85301Q2T
Fiche technique
4.510En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 2 Channel 20 V 8 A 27 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 5.4 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2
Fiche technique
396En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 250

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 2 Channel 20 V 5 A 27 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 5.4 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel