CSD17585F5 Série MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Texas Instruments MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17585F5T
Fiche technique
15.00017/03/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.9 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 900 mV 5.1 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17585F5
Fiche technique
2.22802/04/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.9 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 900 mV 5.1 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel