References MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
Fiche technique
10.000Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 10.000

Si SMD/SMT X2-DFN0806-3 N-Channel 1 Channel 20 V 520 uA 990 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 410 pC - 55 C + 150 C 410 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
Min. : 10.000
Mult. : 10.000
Bobine: 10.000
Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 14.1 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement Reel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 2.98 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 152.7 nC - 55 C + 175 C 2.13 W Enhancement Reel