Solutions de puissance industrielle de Fairchild

Les semi-conducteurs de puissance Fairchild ouvrent la porte des énergies propres à une variété d'applications industrielles. Fairchild propose des IGBT et des MOSFET qui peuvent supporter des courants élevés avec une faible conduction et de faibles pertes de commutation ; des pilotes de grille optiquement isolés disposant d'une large plage de tensions de fonctionnement et une insensibilité aux transitoires élevée en mode commun ; des contrôleurs FPS™ conçus pour les alimentations électriques hautes performances avec un minimum de composants externes ; des pilotes de relais à deux bobines ingénieux avec commutateurs intégrés et possibilité de réglage au niveau de la cellule pour une personnalisation temporelle ; et des outils en ligne qui font disparaître les fastidieuses mises au point et permettent la conception d'alimentations électriques courantes en quelques minutes, économisant des semaines de travail. Fairchild combine les technologies d'alimentation analogique, d'alimentation discrète et d'optoélectronique ; des combinaisons uniques de ces fonctions pour des solutions intégrées nouvelles ; et des technologies de procédés et de mise en boîtier d'avant-garde qui réduisent la taille, la chaleur et le coût.
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Résultats: 3
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
onsemi MOSFET 600V N-CHAN MOSFET 1.240En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10.2 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi MOSFET SuperFET2, 190mohm 704En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.2 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 74 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi MOSFET 600V N-CHAN MOSFET 1.770En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.6 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II Tube