Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Série Conditionnement
IXYS Modules MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A 538En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 420 A 2.3 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 1.07 mW IXFN420N10 Tube
IXYS Modules MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A 12En stock
30006/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 300 V 130 A 19 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 150 C 900 W IXFN160N30 Tube
IXYS Modules MOSFET 360 Amps 100V
1.385Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 360 A 2.6 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 830 W IXFN360N10 Tube
IXYS Modules MOSFET 155A 250V
29914/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 250 V 168 A 12.9 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 150 C 900 W IXFN180N25 Tube
IXYS Modules MOSFET 230A 200V
36804/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 7.5 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 175 C 1.09 mW IXFN230N20 Tube