Navitas Semiconductor Modules MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Série
Conditionnement
GeneSiC Semiconductor Modules MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
Fiche technique
96En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor Modules MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
Fiche technique
93En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Modules MOSFET 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
Fiche technique
96En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor Modules MOSFET 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
Fiche technique
96En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Modules MOSFET 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
Fiche technique
71En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Modules MOSFET 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
Fiche technique
96En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Modules MOSFET 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
Fiche technique
96En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Modules MOSFET 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
Fiche technique
94En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Modules MOSFET 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
Fiche technique
96En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Modules MOSFET 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
Fiche technique
96En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Modules MOSFET 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
Fiche technique
9617/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor Modules MOSFET 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
Fiche technique
9617/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK F Tray