ROHM Semiconductor Single Modules MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Série
Conditionnement
ROHM Semiconductor Modules MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
Fiche technique
4En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 1.6 V - 40 C + 150 C 1.36 kW BSMx Tray
ROHM Semiconductor Modules MOSFET 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Fiche technique
4En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 300 A - 6 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 1.36 kW Bulk
ROHM Semiconductor Modules MOSFET 1200V, 134A, Chopper, Silicon-carbide (SiC) Power Module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 12
Mult. : 12

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 134 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 935 W Bulk
ROHM Semiconductor Modules MOSFET 1200V, 180A, Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 12
Mult. : 12

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 180 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 880 W Bulk