Tube JFET

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Configuration Vds - Tension de rupture drain-source Vgs - Tension de rupture grille-source Tension gâchette-cathode de coupure Courant drain/source à Vgs=0 Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Qualification Conditionnement
onsemi JFET 650V/25MOSICJFETG3TO2 609En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 85 A 25 mOhms 441 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 1200V/65MOSICJFETG3TO 538En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V to 3 V 5 uA 34 A 90 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
Linear Integrated Systems JFET Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET 62En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems JFET Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET 25En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube
onsemi JFET UF3N120007K4S 1.423En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 30 V to 30 V 20 uA 120 A 7.1 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UF3N Tube
onsemi JFET 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2 575En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET UJ4N075005K4S 437En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.8 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UJ4N Tube
onsemi JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4 617En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi JFET 1200V/35MOSICJFETG3TO 604En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 63 A 35 mOhms 429 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4 325En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4 558En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
InterFET JFET JFET P-Channel 30V Low Noise 3.583En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel Single - 15 V 30 V 2.25 V - 20 mA - 10 nA 300 Ohms 360 mW - 55 C + 125 C SMPJ177 Tube
onsemi JFET 650V/80MOSICJFETG3TO2 465En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 32 A 80 mOhms 190 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 1200V/70MOSICJFETG3TO 513En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 33.5 A 70 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
Linear Integrated Systems JFET Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET 1.808En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube
Linear Integrated Systems JFET Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems JFET Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems JFET Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube