PowerMESH IGBTs

Résultats: 6
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Qualification
Conditionnement
STMicroelectronics IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp
Fiche technique
1.561En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 442 V 1.3 V - 12 V, 16 V 40 A 200 W - 55 C + 175 C STGB20NB41LZ AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
Fiche technique
Commentaire Produit
4.058En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si IPAK-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 15 A 62.5 W - 55 C + 150 C STGD6NC60H-1 Tube
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
Fiche technique
1.672En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 15 A 55 W - 65 C + 150 C STGD7NB60S Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs N-CHANNEL IGBT
Fiche technique
2.808En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.75 V - 25 V, 25 V 60 A 220 W - 55 C + 150 C STGW30NC120HD Tube
STMicroelectronics IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
Fiche technique
1.004En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.2 V - 20 V, 20 V 15 A 25 W - 55 C + 150 C STGF7NB60SL Tube
STMicroelectronics IGBTs N Ch 10A 600V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 20 A 60 W - 55 C + 150 C STGD10NC60H Reel