Panjit IGBTs

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Panjit IGBTs 650V/75A Insulated Gate Bipolar Transistor
Fiche technique
900En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 133 A 366 W - 40 C + 175 C Tube
Panjit IGBTs 650V/40A Insulated Gate Bipolar Transistor
Fiche technique
834En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 76 A 220 W - 40 C + 175 C Tube