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µModule Transistors bipolaires - BJT

Résultats: 11.499

Filtres appliqués:

Nom commercial = µModule

Fabricant

Technologie

Style de montage

Package/Boîte

Polarité du transistor

Configuration

Courant CC max. du collecteur

Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.

Collecteur - Tension de base VCBO

Émetteur - Tension de base VEBO

Tension de saturation collecteur-émetteur

Pd - Dissipation d’énergie

Produit gain-bande passante fT

Température de fonctionnement min.

Température de fonctionnement max.

Qualification

Série

Conditionnement

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THAT Corporation
Toshiba
TT Electronics
WeEn Semiconductors

2-21F1A-3
2-3S1C-3
2-5K1A-3
2-7J1A-3
CFP15B-3
CLCC-3
CLCC-4
CPH-3
CPH-5
CPT-3
CST-3
ChipFET-8
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DFN-0606-3
DFN-1006-3
DFN-1006B-3
DFN-1006H4-3
DFN-1010B-6

0 A
3 mA
10 mA
15 mA
20 mA
25 mA
30 mA
40 mA
50 mA
60 mA
80 mA
100 mA
122 mA
150 mA
200 mA
200 mA, 500 mA
225 mA
250 mA
300 mA
500 mA

- 80 V
6 V
6 V, 30 V
10 V
11 V
12 V
12 V, 50 V
15 V
15 V, 12 V
17.5 V
18 V
20 V
25 V
30 V
30 V, 50 V
30 V, 6 V
32 V
35 V
36 V
40 V

- 100 V
5 V
6 V, 30 V
10 V
12 V
15 V
15 V, 12 V
15 V, 60 V
18 V
20 V
20 V, 12 V
25 V
30 V
30 V, 25 V
30 V, 6 V
32 V
35 V
35 V, 50 V
36 V
40 V

- 5 V
1 V
1.5 V
2 V
2.5 V
3 V
3.5 V
4 V
4.5 V
4.5 V, 3 V
5 V
5 V, 4 V
5 V, 6 V
5 V, 60 V
5.5 V
5.5 V, 6 V
6 V
6 V, 5 V
6 V, 7 V
6.5 V

150 uV
16.5 mV
30 mV
33 mV
42 mV
50 mV
55 mV
60 mV
65 mV
70 mV
70 mV, 100 mV
72 mV
75 mV
80 mV
82 mV
82 mV, 135 mV
85 mV
85 mV, 110 mV
90 mV
90 mV, 100 mV

30 mW
100 mW
120 mW
125 mW
130 mW
150 mW
150 mW, 150 mW
166 mW
167 mW
200 mW
225 mW
230 mW
235 mW
246 mW
250 mW
260 mW
265 mW
270 mW
275 mW
280 mW

0 Hz
400 kHz
500 kHz
800 kHz
1 MHz
1.5 MHz
2 MHz
2.5 MHz
3 MHz
4 MHz
5 MHz
6 MHz
8 MHz
9 MHz
10 MHz
11 MHz
12 MHz
13 MHz
14 MHz
15 MHz

300
320
340
40347
15C01M
2DA12
2DA17
2DA19
2DB11
2DB13
2DB17
2DC24
2DC46
2DD16
2DD2
2N
2N/2/3/4/5
2N1131A
2N1131B
2N1480