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IMZA75R008M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA75R008M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA75R008M1HXKS
Price: 27.98 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IMZA75R008M1HXKS

N° de fab. :

IMZA75R008M1HXKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IMZA75R008M1HXKSA1 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Id - Courant continu de fuite:	163 A
Rds On - Résistance drain-source:	10.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.6 V
Qg - Charge de grille:	178 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	517 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSiC
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	16 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Série:	G2
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	22 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IMZA75R008M1HXKSA1 SP005970686

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Fiche technique

IMZA75R008M1HXKSA1 Fiche technique (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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Les MOSFET CoolSiC ™ G1 de 750 V d'Infineon Technologies sont excellents en termes de performance, de fiabilité et de robustesse. Le CoolSiC ™ G1 de 750 V d'Infineon Technologies dispose d’un pilotage de grille flexible pour une conception de système simplifiée et économique. Les MOSFET permettent un rendement et une densité de puissance optimisés.