STMicroelectronics MDmesh II Plus MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Fiche technique
Commentaire Produit
1.294En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 670 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh II Plus Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Fiche technique
Commentaire Produit
653En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 670 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh II Plus Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Fiche technique
Commentaire Produit
738En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 670 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh II Plus Tube