STMicroelectronics STU6N65M2 Série MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
Fiche technique
Commentaire Produit
45En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.35 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
Fiche technique
Non stocké
Min. : 3.000
Mult. : 3.000

Si Through Hole IPAK-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2.5 A 1.35 Ohms - 25 V, 25 V 2 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube