STMicroelectronics STP11NM60FD Série MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
Fiche technique
537En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 65 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
Fiche technique
824En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 65 C + 150 C 160 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V - 65 C + 150 C 160 W Enhancement Reel