STMicroelectronics STL33N60DM2 Série MOSFET

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 2.200En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 115 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 140 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 35 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel