STMicroelectronics MDmesh M9 Série MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
Fiche technique
293En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 35 mOhms 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Fiche technique
896En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 51 A 50 mOhms 30 V 4.5 V 100 nC - 50 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Fiche technique
455En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 600

Si SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 51 A 50 mOhms 30 V 4.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
440En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
522En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 95 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 230 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
580En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
354En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 95 A - 30 V, 30 V 4.2 V 230 nC - 55 C + 150 C Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
1.195En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
770En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 32 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
101En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3.2 V 32 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Fiche technique
600Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 600

Si SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 600 V 54 A 46 mOhms 30 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics STO60N030M9
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 23 mOhm typ., 79 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package
Fiche technique
1.80007/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.800

Reel, Cut Tape