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SQJ244EP-T1_BE3

Name: Vishay SQJ244EP-T1_BE3
Brand: Vishay General Semiconductor
SKU: 78-SQJ244EP-T1_BE3
Price: 0.43 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

78-SQJ244EP-T1_BE3

N° de fab. :

SQJ244EP-T1_BE3

Fab. :

Vishay General Semiconductor

Description :

MOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETS

Fiche technique:

SQJ244EP-T1_BE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	20 A, 60 A
Rds On - Résistance drain-source:	15 mOhms, 6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	13 nC, 28.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	27 W, 48 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Vishay General Semiconductor
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	HK
Temps de descente:	9 ns
Transconductance directe - min.:	26 S, 73 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns
Série:	SQJ
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	19 ns, 26 ns
Délai d'activation standard:	10 ns, 15 ns

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Fiche technique

SQJ244EP-T1_BE3 Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET automobiles SQJ

Les MOSFET^®automobiles SQJ Vishay/Siliconix sont des MOSFET de puissance 40 V_DS à canal N TrenchFET Gen IV. Ces MOSFET homologués AEC-Q101 sont testés à 100% R_g et commutation inductive non limitée (UIS) avec un rapport Q_gd/Q_gs de moins de 1 qui optimise les caractéristiques de commutation. Les MOSFET automobiles SQJ offrent une très faible R_DS(on) et fonctionnent dans une plage de température comprise entre -55°C et 175°C.Ces MOSFET de classe automobile sont disponibles en boîtier PowerPAK^® SO-8L avec des configurations simples/doubles. Les applications standard incluent l'automobile, la gestion des moteurs, les entraînements et actionneurs de moteurs et la gestion des batteries.