IXFN20N120 Série Modules MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Série
Conditionnement
IXYS Modules MOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 300
Mult. : 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, + 30 V 6.5 V - 55 C + 150 C 595 W IXFN20N120 Tube
IXYS Modules MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
Fiche technique
Non stocké
Min. : 10
Mult. : 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 750 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 780 W IXFN20N120 Tube