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IXFN94N50P2

Name: IXYS IXFN94N50P2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN94N50P2
Price: 20.01 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFN94N50P2

N° de fab. :

IXFN94N50P2

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET MBLOC 500V 68A N-CH POLARP2

Fiche technique:

IXFN94N50P2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227B-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	68 A
Rds On - Résistance drain-source:	55 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	780 W
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	11 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	34 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Délai de désactivation type:	67 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN94N50P2 Fiche technique

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USHTS:: 8541900080
ECCN:: EAR99

Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs

IXYS Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs are offered with drain current ratings of 24, 42, 52, 74, 94, and 120 Amperes. These high-performance devices retain all the features and advantages of the PolarP2 Standard versions, with the added benefit of a fast intrinsic rectifier for increased turn-off dV/dt immunity and low reverse recovery speeds (t_rr <=250ns).