Semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC)

Les semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) de Microchip Technology constituent une option innovante pour les concepteurs d'électronique de puissance qui cherchent à améliorer l'efficacité du système, à en réduire le facteur de forme et à augmenter la température de fonctionnement de produits couvrant les segments de marché industriel, médical, militaire/aérospatial, aéronautique et des communications. Les MOSFET au SiC et les diodes à barrière Schottky (SBD) au SiC de nouvelle génération de Microchip sont conçus avec une capacité répétitive et élevée de commutation inductive non bridée (UIS) et ses MOSFET au SiC conservent une capacité UIS élevée d'environ 10 J/cm2 à 15 J/cm2 et une protection robuste contre les courts-circuits de 3 à 5 ms. Les SBD SiC de Microchip Technology sont conçus avec un courant de choc, une tension directe, une résistance thermique et une capacité thermique équilibrés à de faibles courants inverses pour une perte de commutation réduite. Les MOSFET SiC et les SBD SiC peuvent aussi être combinés pour être utilisés dans des modules.

Types de Diodes et redresseurs

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Type de produit Style de montage Package/Boîte Vr - Tension inverse Vf - Tension directe If - Courant direct
Microchip Technology Diodes Schottky SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-220 862En stock
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FP-2 1.2 kV 1.5 V 30 A
Microchip Technology Diodes Schottky SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD 158En stock
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 15 A
Microchip Technology Diodes Schottky SiC 1200 V, 30 A SiC SBD 835En stock
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 69 A
Microchip Technology Diodes Schottky SiC 1200 V, 10 A SiC SBD 132En stock
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 10 A
Microchip Technology Diodes Schottky SiC 1200 V, 10 A SiC SBD 225En stock
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2 1.2 kV 1.5 V 27 A
Microchip Technology Diodes Schottky SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD 43En stock
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.7 kV 1.5 V 10 A
Microchip Technology Diodes Schottky SiC SIC SBD 700 V 30 A TO-247 225En stock
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 700 V 1.5 V 30 A
Microchip Technology Diodes Schottky SiC 700V, 30A SiC SBD 164En stock
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 1.5 V 60 A
Microchip Technology Diodes Schottky SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-268 45En stock
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 1.2 kV 1.5 V 30 A
Microchip Technology Diodes Schottky SiC 700 V, 50 A SiC SBD 145En stock
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 700 V 1.5 V 50 A
Microchip Technology Diodes Schottky SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247 22En stock
12013/04/2026 attendu
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 50 A
Microchip Technology Diodes Schottky SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-268 65En stock
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 1.2 kV 1.5 V 50 A
Microchip Technology Diodes Schottky SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD 23En stock
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 700 V 1.5 V 10 A
Microchip Technology Diodes Schottky SiC 700 V, 10 A SiC SBD 325En stock
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2 700 V 1.5 V 10 A
Microchip Technology Diodes Schottky SiC 700V, 50A SiC SBD 44En stock
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 700 V 1.5 V 50 A
Microchip Technology Diodes Schottky SiC 700 V, 20 A SiC SBD
250Sur commande
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2 700 V 1.5 V 30 A
Microchip Technology Modules de diode PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227 Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
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Diode Modules Screw Mount SOT-227-4 1.2 kV 1.5 V