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QPD1025L

Name: Qorvo QPD1025L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1025L
Price: 1808.94 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

772-QPD1025L

N° de fab. :

QPD1025L

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V

Fiche technique:

QPD1025L Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	NI-1230-4
Id - Courant continu de fuite:	28 A
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Pd - Dissipation d’énergie :	758 W
Marque:	Qorvo
Configuration:	Dual Gate Dual Drain
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Kit de développement:	QPD1025LEVB1
Gain:	22.9 dB
Tension drain-porte max.:	225 V
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	1.5 kW
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Série:	QPD1025L
Nombre de pièces de l'usine:	18
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN SiC
Type de transistor:	HEMT
Poids de l''unité:	39,665 g

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Fiche technique

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PCN

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TARIC:: 8517620000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8517620090
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

QPD1025 & QPD1025L RF Input-Matched Transistors

Qorvo QPD1025 and QPD1025L RF Input-Matched Transistors are discrete GaN on SiC High Electron Mobility Transistors (HEMT) that have an operating frequency range of 1.0GHz to 1.1GHz. The QPD1025 and QPD1025L transistors feature 22.5dB linear gain, 1800W output power, 65V operating voltage, and support both pulse and CW operations. Qorvo QPD1025 and QPD1025L RF Input-Matched Transistors are available in industry standard air cavity packages and are ideal for IFF transponders, avionics, and test instrumentation.