QPD1009 FET GaN

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Qorvo FET GaN DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Fiche technique
244En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo FET GaN DC-4 GHz, 15W, 50V GaN RF Tr
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500
Bobine: 500
SMD/SMT SMD-16 1 Channel 145 V 1.6 A - 40 C + 85 C 16 W