IMX8 Transistors bipolaires - BJT

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Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Configuration
Courant CC max. du collecteur
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Collecteur - Tension de base VCBO
Émetteur - Tension de base VEBO
Tension de saturation collecteur-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Produit gain-bande passante fT
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement

Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT
Fiche technique
N/A
Si SMD/SMT SOT-26-6 NPN Dual 50 mA 120 V 120 V 5 V 300 mW 140 MHz - 55 C + 150 C IMX8
onsemi / Fairchild IMX8
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT N/A
Si NPN Dual 50 mA 120 V 120 V 5 V 300 mW 140 MHz - 55 C + 150 C
ROHM Semiconductor Transistors bipolaires - BJT DUAL NPN 120V 50MA SOT-457
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 13 Semaines

Si SMD/SMT SOT-457-6 NPN Dual 120 V 120 V 5 V 500 mV 300 mW 140 MHz + 150 C IMX8 Reel