Hall Effect ICs

ROHM Semiconductor Hall Effect ICs include unipolar detection, omnipolar detection, bipolar detection, and omnipolar with polarity detection ICs. These ICs feature a low average current of 3.5µA and fully-integrated CMOS logic output circuitry. The integrated dynamic offset cancellation provides high sensitivity, allowing for less precise placement of the permanent magnet. The product is rated at 8kV ESD withstand and rated for -40°C to +85°C operation. The Hall ICs are ideal for a wide range of portable consumer electronics applications including mobile phones, digital cameras, and computers.

Résultats: 3
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 N-CH 60V 20A 4.549En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8G N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 24.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 2A DUAL CH 17.338En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-8D N-Channel, P-Channel 2 Channel 100 V 2 A, 1 A 207 mOhms, 840 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.8 nC, 6.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET -100V 1.0A, Dual Pch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
5.892Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-8D P-Channel 2 Channel 100 V 1 A 840 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape