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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Fiche technique
971En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Fiche technique
695En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Fiche technique
1.463En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-3PFM-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 3.7 A 1.5 Ohms - 6 V, + 22 V 4 V 14 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Fiche technique
102En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Fiche technique
322En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Fiche technique
759En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Fiche technique
297En stock
90024/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Fiche technique
6En stock
45025/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Fiche technique
92En stock
45020/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Fiche technique
23En stock
1.350Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement