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TPH2R306NH1,LQ

Name: Toshiba TPH2R306NH1,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH2R306NH1LQ
Price: 1.97 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

757-TPH2R306NH1LQ

N° de fab. :

TPH2R306NH1,LQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)

Fiche technique:

TPH2R306NH1,LQ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,97 €	1,97 €
	1,26 €	12,60 €
	0,86 €	86,00 €
	0,687 €	343,50 €
	0,632 €	632,00 €
	0,622 €	1.555,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,622 €	3.110,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	190 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	72 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	170 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	16 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9.9 ns
Série:	U-MOSVIII-H
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	29 ns
Raccourcis pour l'article N°:	TPH2R306NH1,LQ(M

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Fiche technique

TPH2R306NH1,LQ Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance U-MOSVIII-H automobiles

Les MOSFET de puissance U-MOSVIII-H automobiles de Toshiba sont des MOSFET de puissance à canal N 100 V idéaux pour les applications automobiles. Ils disposent d'une faible résistance à l'état passant avec une technologie propriétaire utilisant un connecteur Cu. Ils ont une plage de tension de seuil de grille étroite de 2,5 V à 3,5 V, ce qui réduit la tolérance du temps de commutation.