SQJ500AEPT1BE3 MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
Vishay / Siliconix MOSFET N and P CH 40V (D-S)
Fiche technique
Commentaire Produit
42.081En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 30 A 9.2 mOhms, 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25.5 nC, 30.2 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified
Fiche technique
Commentaire Produit
61.148En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 30 A 7.7 mOhms, 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 38.3 nC, 45 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel