Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

SICW080N120H4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW080N120H4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW080N120H4-BP
Price: 3.59 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

833-SICW080N120H4-BP

N° de fab. :

SICW080N120H4-BP

Fab. :

Micro Commercial Components (MCC)

Description :

SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

SICW080N120H4-BP Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Micro Commercial Components (MCC) SICW080N120H4-BP

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 52 Semaines Délai de production estimé en usine.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1800 Multiples : 1800

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,59 €	6.462,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Micro Commercial Components (MCC)
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	33 A
Rds On - Résistance drain-source:	134 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	131 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	224 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuration:	Single
Temps de descente:	26.4 ns
Transconductance directe - min.:	6.5 S
Conditionnement:	Bulk
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	64 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	60 ns
Délai d'activation standard:	28 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

SICW080N120H4-BP Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET SICW0x SiC à canal N 1 200 V

Les MOSFET à canal N SiC SICW0x de 1 200 V de Micro Commercial Components (MCC) amplifient les performances dans des boîtiers polyvalents TO-247-4, TO-247-4L et TO-247AB. Ces MOSFET disposent d’une vitesse de commutation élevée avec une faible charge de grille, une flexibilité de conception et une grande fiabilité. Les MOSFET SiC SICW0x 1200 V comprennent une large plage de résistance en marche standard de 21 mΩà 120 m Ω et des performances fiables. Ces MOSFET SiC offrent des propriétés thermiques supérieures et une diode intrinsèque rapide pour assurer un fonctionnement fluide et efficace dans des conditions difficiles. Les MOSFET SiC SICW0x sont disponibles en configurations à 3 et 4 broches (source Kelvin). Les applications standard incluent les entraînements de moteurs, les équipements de soudage, les alimentations, les systèmes d’énergie renouvelable, l’infrastructure de charge, les systèmes cloud et l’alimentation sans interruption (ASI).