FGH40T120SMD-F155

onsemi
512-FGH40T120SMDF155
FGH40T120SMD-F155

Fab. :

Description :
IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT

Modèle de ECAO:
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En stock: 493

Stock:
493 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
8,59 € 8,59 €
5,08 € 50,80 €
4,94 € 494,00 €
4,57 € 2.056,50 €
4,52 € 4.068,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: IGBTs
REACH - SVHC:
Si
TO-247G03-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.8 V
- 25 V, 25 V
80 A
555 W
- 55 C
+ 175 C
FGH40T120SMD
Tube
Marque: onsemi
Courant de collecteur continu Ic max.: 40 A
Courant de fuite gâchette-émetteur: 400 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 450
Sous-catégorie: IGBTs
Raccourcis pour l'article N°: FGH40T120SMD_F155
Poids de l''unité: 6,390 g
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1200V Field Stop Trench IGBTs

onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs feature minimized conduction losses by having a VCE(SAT) of 1.8V, lower than previous fast switching NPT IGBTs. The 1200V field stop trench IGBTs target hard switching industrial applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and welders. The 1200V field stop trench IGBT series operates at high switching frequencies, and is 100% tested for clamped inductive switching at current levels of four times the rated current to guarantee a larger safe operating area. onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs are available in TO-247-3,  TO-247-4, and DPAK-3 packages, and are offered in 15A, 25A, and 40A ratings.

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