FGH40T120SMD IGBTs

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement

onsemi IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
Fiche technique
1.094En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 25 V, 25 V 80 A 555 W - 55 C + 175 C FGH40T120SMD Tube

onsemi IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
493En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247G03-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 25 V, 25 V 80 A 555 W - 55 C + 175 C FGH40T120SMD Tube