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CG2H30070F

Name: MACOM CG2H30070F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H30070F
Price: 444.12 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

941-CG2H30070F

N° de fab. :

CG2H30070F

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT

Fiche technique:

CG2H30070F Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	440224
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	120 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 3.8 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Marque:	MACOM
Kit de développement:	CG2H30070F-TB1
Gain:	12.4 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	4 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	0 Hz
Alimentation en sortie:	70 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V, 2 V
Poids de l''unité:	10,466 g

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Fiche technique

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ECCN:: 3A001.b.3.a.4

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.