Transistors intégrés à résistance de polarisation automobile RN

Les transistors intégrés à résistance de polarisation (BRT) automobile RN de Toshiba sont homologués AEC-Q101 et optimisés pour les applications de commutation, de circuit d'onduleur, d'interface et de circuit de pilote. La résistance de polarisation est intégrée, réduisant le nombre de pièces externes requises et réduisant la taille du système et le temps d'assemblage. Les BRT à résistance de polarisation automobile RN de Toshiba fournissent une large plage de résistance pour s'ajuster à diverses conceptions de circuit.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723
Fiche technique
6.583En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 8.000

MOSFETs Si SMD/SMT VESM-3
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F
Fiche technique
4.562En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Diodes de protection ESD / diodes TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOD-323
Fiche technique
9.00002/03/2026 attendu
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

SOD-323-2
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
Fiche technique
5.99002/03/2026 attendu
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
Fiche technique
6.00008/05/2026 attendu
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 11 Semaines
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Fiche technique
Non stocké
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 8.000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT SC-59-3
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Fiche technique
Non stocké
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Fiche technique
N/A
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563
Fiche technique
N/A
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4.000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
Fiche technique
N/A
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Bobine: 4.000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10kOhm, Q2BSR=10kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563)
Fiche technique
Non stocké
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4.000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6